Premiers stades d'adsorption de silicium sur des substrats métalliques.

Abstract

Premiers stades d'adsorption de silicium sur des substrats métalliques Dans ce contexte, mon travail expérimental qui fait l'objet de ce présent mémoire de fin d'étude, a pour but d'étudier les premiers stades de formation de siliciures lors de dépôts de film ultra minces du silicium sur des substrats métalliques. Notre approche consiste à réaliser différentes sortes de dissolutions de ces films préalablement déposés à température ambiante sur un substrat métallique monocristallin, Puis caractériser d'un point de vue cinétique et structural les composés susceptibles d'être formés et déterminer leurs domaines de stabilité en température. Ce manuscrit se divise en trois chapitres dont Le premier est développé sous forme d'un rappel des bases des phénomènes de la ségrégation de surface, de la diffusion et aussi en une présentation des connaissances rapportées dans la littérature du système binaire étudié Le second chapitre décrit la méthode de dépôt du silicium ainsi que les diverses méthodes de caractérisation employées au cours de ce travail. Le troisième chapitre expose les résultats obtenus dans les expériences de dissolution de films ultra minces de silicium dans un échantillon de cuivre (001), Après chaque série d'expérience, les résultats obtenus grâce aux différentes techniques utilisées, sont discutés et interprétés.