Abstract:
Le transistor est probablement l'invention la plus géniale de l'ère moderne. Les
fonctionnalités qu'il peut accomplir, depuis sa création en 1937, ont permit aux scientifiques
de développer, de mieux en mieux, des applications RF à haute performance liés à l'industrie
électronique.
Notre travail est porté sur l'analyse de comportement petit signal du transistor MOS SOI
130nm, qui ne peut se faire sans la modélisation de ce dernier. Ceci nous a permis de
reproduire les phénomènes physiques et électriques régissant ce type de composant, ainsi que
l'extraction des paramètres qui constituent son schéma électrique équivalent dans des plages
de fréquences allant jusqu'à 40 GHz. L'extraction a été effectué à différents points de
polarisation à partir des données expérimentales (paramètres [S]), disponibles au niveau du
centre de développement des technologies avancées CDTA.
