Abstract:
Les matériaux de la famille des nitrures-III, à savoir le Nitrure de Gallium (GaN), le
Nitrure d'Aluminium (AlN) et le Nitrure d'Indium (InN), présentent des propriétés intéressantes
et des performances exceptionnelles permettant leur application dans des dispositifs
électroniques et optoélectroniques.
Dans ce travail, nous avons étudié par simulation atomistique différentes propriétés
physiques (structurales, élastiques, thermodynamiques et électroniques) de trois composés
appartenant à la famille des matériaux nitrures-III, à savoir GaN, AlN et InN, dans la phase
wurtzite. Nos calculs ont été exécuté en utilisant le code CASTEP, qui est basé sur la Théorie
Fonctionnelle de la Densité (DFT), où nous avons utilisé des pseudo-potentiels de type ultra-soft
et les deux fonctionnelles d'échanges et corrélations LDA-PZ et GGA-PBE. Nous avons pu
obtenir des valeurs des différentes propriétés étudiées, pour les trois composés, en très bon
accord avec les valeurs expérimentales publiées dans la littérature. Par ailleurs, notre étude nous
a permis de reproduire les tendances générales de la DFT en employant les deux fonctionnelles
standards LDA-PZ et GGA-PBE.
