Abstract:
Dans ce mémoire, en utilisant la simulation Monte Carlo, nous avons déterminé une fonction de génération et un parcours électronique propre aux nano fils semiconducteurs. Ceci est pour une meilleure estimation de la distribution spatiale initiale des paires électron-trou dans le volume de ces derniers, qui, sera utilisée dans la modélisation du signal EBIC. Ensuite, nous avons modélisé le signal EBIC d'une jonction p-n filiforme pour extraire quelques paramètres électriques importants tels que la longueur de diffusion des porteurs de charges et leur vitesse de recombinaison sur la surface latérale du fil.
Les résultats de la simulation Monte Carlo montrent que la fonction de génération et son parcours électronique dépendent du rayon du fil pour le cas de faibles valeurs de ra. Par contre, ils sont indépendants de ce paramètre pour le cas des grandes valeurs.
Les résultats de la modélisation du signal EBIC montrent que le choix de parcours électronique n'influe pas sur le signal calculé. Ceci est due au choix de faibles valeurs d'énergie de bombardement (pour avoir un volume de génération complètement à l'intérieur du fil). Dans ce cas, la différence entre les valeurs de parcours électronique calculées par différentes expressions ne dépasse en aucun cas 5%.
En général, les calculs montrent que le signal EBIC augmente avec l'augmentation de la valeur de longueur de diffusion et avec l'augmentation du rayon fil. Par contre, il diminue avec l'augmentation de la vitesse de recombinaison. Si la valeur de L< ra, le signal est indépendant de la vitesse de recombinaison
