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dc.contributor.authorDehas, Youghourta-
dc.contributor.authorTemericht, Imane ; promotrice-
dc.date.accessioned2021-03-01T09:18:51Z-
dc.date.available2021-03-01T09:18:51Z-
dc.date.issued2020-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/14723-
dc.descriptionOption : système des télécommunicationsen_US
dc.description.abstractLes semi-conducteurs ont connus une importante croissance au niveau mondial, qui est liée au fait que ces matériaux forment la base de la révolution technologique de ces quarante dernières années dans le domaine de l'électronique et de l'optoélectronique. Dans notre travail on décrit brièvement les différentes propriétés des semi-conducteurs et les phénomènes physiques entrant dans l'émission de la lumière laser, notamment l'émission stimulée. Pour faire l'étude de la diode laser on a simulé ses caractéristiques électroniques en utilisant le logiciel Silvaco-TCAD à base de inP/InGaAsp. En effet, les contacts sur InP ont d'une part un intérêt technologique pour la réalisation de dispositifs électroniques rapides et d'autre part jouent un rôle dans la compréhension physique des phénomènes.en_US
dc.language.isofren_US
dc.publisherUniversité Abderahmane MIRA de Bejaiaen_US
dc.subjectSemi-conducteur : Diodes lasers : Caractéristique électroniqueen_US
dc.titleEtude et simulation de la caractéristique électronique d'une diode laser.en_US
dc.typeThesisen_US
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