Etude des propriétés structurales et optiques de Binaires (GaAs, InAs, GaN et InN).

Abstract

L'électronique et plus particulièrement l'optoélectronique est présente dans de multiples domaines et prend une place de plus en plus importante surtout dans les systèmes de télécommunications par fibres optiques et de conversion d'énergie. Le développement rapide de l'optoélectronique n'aurait pas eu lieu sans une excellente connaissance des matériaux utilisés. L'étude des matériaux semi- conducteurs occupe donc une place particulière depuis quelques années et représente toujours l'étape essentielle dans la conception de n'importe quel dispositif optoélectronique. Le but du présent travail est de contribuer à l'étude des propriétés structurales, électroniques et optiques des matériaux GaAs, GaN, InAs et InN par le biais de la méthode d'ondes planes augmentée linéarisée (FP-LAPW) implémentée dans le code de calcul WIEN2K basée sur la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT). L’étude de ces propriétés montre que les matériaux GaAs, GaN, InAs et InN sont distingués par leurs gap direct, par conséquent ces types de semi-conducteurs interviennent dans presque tous les dispositifs électroniques et optiques.