Etude par DFT des propriétés des matériaux nitrures-III.

Abstract

Les matériaux de la famille des nitrures-III, à savoir le Nitrure de Gallium (GaN), le Nitrure d'Aluminium (AlN) et le Nitrure d'Indium (InN), présentent des propriétés intéressantes et des performances exceptionnelles permettant leur application dans des dispositifs électroniques et optoélectroniques. Dans ce travail, nous avons étudié par simulation atomistique différentes propriétés physiques (structurales, élastiques, thermodynamiques et électroniques) de trois composés appartenant à la famille des matériaux nitrures-III, à savoir GaN, AlN et InN, dans la phase wurtzite. Nos calculs ont été exécuté en utilisant le code CASTEP, qui est basé sur la Théorie Fonctionnelle de la Densité (DFT), où nous avons utilisé des pseudo-potentiels de type ultra-soft et les deux fonctionnelles d'échanges et corrélations LDA-PZ et GGA-PBE. Nous avons pu obtenir des valeurs des différentes propriétés étudiées, pour les trois composés, en très bon accord avec les valeurs expérimentales publiées dans la littérature. Par ailleurs, notre étude nous a permis de reproduire les tendances générales de la DFT en employant les deux fonctionnelles standards LDA-PZ et GGA-PBE.