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http://univ-bejaia.dz/dspace/123456789/24991
Title: | Étude et simulation numérique d’une cellule solaire à base des semi-conducteurs Ⅲ-N |
Authors: | Lazari, Rima Salhi, Assia Idjdarene, ; promottrice Lahreche, ; co-promoteur |
Keywords: | Simulation numérique : Cellule solaire : Semi-conducteur III-N : Cellules photovoltaique |
Issue Date: | 2024 |
Publisher: | Université Abderrahmane mira-Béjaia |
Abstract: | L’Alliage De Nitrure De Gallium Et D' Indium (Ingan) Est Devenu Au Cours Des Dernieres Annees Un Semi-Conducteur Important Pour La Fabrication Des Cellules Solaires. Notre Etude S' Est Basee Sur La Simulation De Deux Cellules Solaires A Base Des Nitrures Des Elements III-N, Inxga1-Xn (N)/Inn (P) Et Gan(N)/ Inxga1-Xn (P). L'objectif De Cette Etude Est D'analyser Et D'optimiser Les Proprietes De L'alliage De Nitrure De Gallium Et D'indium (Ingan) Pour Son Utilisation Dans La Fabrication De Cellules Solaires A Haut Rendement. Dans Notre Cas Les Resultats Montrent Que La Meilleure Fraction Molaire De In Pour Le Cas De La Cellule Inxga1xn (N)/Inn (P) Est De X=0,8 Et De X=0,66 Pour Le Cas De La Cellule Gan(N)/ Inxga1-Xn (P) Ce Qui Correspond A Un Rendement N = 35, 48 % Et N =37, 43 % RESPECTIVEMEN |
Description: | Spécialité: Instrumentation |
URI: | http://univ-bejaia.dz/dspace/123456789/24991 |
Appears in Collections: | Mémoires de Master |
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