Détermination théorique de l’indice de réfraction dans les empilements périodiques GaAs /AlGaAs

Abstract

Le formalisme des matrices de transfert optique a été utilisé pour étudier l'indice de réfraction effectif d'un empilement périodique GaAs/AlGaAs. Les simulations ont examiné l'influence de divers paramètres (longueur d'onde, polarisation, angle d'incidence, épaisseur des couches) sur cet indice. Les résultats montrent des oscillations non périodiques dans l'indice de réfraction effectif, dues aux interférences multiples dans ces structures complexes. Les spectres de réflexion et de transmission présentent des oscillations périodiques influencées par les mêmes paramètres. Des pistes d'optimisation ont été proposées pour d'éventuelles applications en optoélectronique The formalism of optical transfer matrices was used to study the effective refractive index of a periodic stack of GaAs and AlGaAs layers. Simulations examined the influence of various parameters (wavelength, polarization, angle of incidence, layer thickness) on this index. The results show non-periodic oscillations in the effective refractive index due to multiple interferences in these complex structures. The reflection and transmission spectra exhibit periodic oscillations influenced by the same parameters. Optimization strategies have been proposed for potential applications in optoelectronics