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dc.contributor.authorBenhama, Zine Edine-
dc.contributor.authorTitouah, Ghiles-
dc.contributor.authorAchour, L. ; promotrice-
dc.contributor.authorBenbahouche, L ; co-promotrice-
dc.date.accessioned2024-12-11T11:02:28Z-
dc.date.available2024-12-11T11:02:28Z-
dc.date.issued2024-
dc.identifier.urihttp://univ-bejaia.dz/dspace/123456789/24993-
dc.descriptionSpécialité: Systèmes des télécommunicationsen_US
dc.description.abstractCe mémoire explore l'influence de la couche active sur les performances des VCSELs. Il commence par des généralités sur les semi-conducteurs, abordant les types de semiconducteurs, les jonctions p-n, et les processus radiatifs. Ensuite, il présente un état de l'art des VCSELs, détaillant leur structure, fonctionnement, matériaux utilisés, et applications. La partie centrale du travail est une étude de simulation utilisant le logiciel TCAD-SILVACO. Cette étude analyse l'impact de divers paramètres de la zone active à puits quantiques multiples (MQW) sur les performances du VCSEL, notamment l'épaisseur des puits et des barrières, ainsi que leur nombre. Les résultats de ces simulations permettent de mieux comprendre comment optimiser la conception de la couche active pour améliorer les performances des VCSELs.en_US
dc.language.isofren_US
dc.publisherUniversité Abderrahmane mira-Béjaiaen_US
dc.subjectSemi-Conducteurs: Diode Lasers : VCSL : Diode VCSEL : Zone Active : DBR : Miroire De Braggen_US
dc.titleImpact de la couche active sur les performances d’un laser à cavité verticale VCSELen_US
dc.typeThesisen_US
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