Dépôt de couches mince de ZnS dopées Al par la méthode de croissance en solution (SGT).

Abstract

Ce mémoire est scindé en 5 chapitres. Après un bref rappel historique sur les nanomatériaux, le premier chapitre introduit les définitions techniques et les divers classements des nanomatériaux communément admises aujourd’hui. Le chapitre 2 traite des principales techniques d’élaboration de nanomatériaux et rappelle l’essentiel des analyses connues pour déterminer leurs propriétés physico-chimiques. Le chapitre 3 est entièrement consacré aux propriétés du sulfure de zinc. Les principales caractéristiques de ZnS sont discutées pour expliquer la motivation du choix de ce matériau semi-conducteur du groupe II-VI comme matériau innovant. Les différentes applications possibles y sont discutées. Toute la partie expérimentale de notre travail est traité au chapitre 4. Après avoir rappelé les principales techniques de dépôts et de caractérisation des couches minces, nous avons discuté, dans les moindres détails, la technique de dépôt utilisée (SGT : Solution Growth Technique) pour élaborer nos échantillons ainsi que les techniques de caractérisations que nous avons utilisés. Le dernier Chapitre résume tous les résultats obtenus. A chaque variation de paramètre d’élaboration, nous avons analysé son incidence sur les propriétés morphologiques, structurales et optiques de l’échantillon. Le mémoire se termine par une conclusion et suggère des perspectives d’études.