Propriétés structurales et électroniques de phosphorène noir contenu entre deux couches de graphène.

Abstract

Le but de ce mémoire est d'étudier les propriétés structurales et électroniques de phosphorène noir entre deux couches de graphène. Nous avons utilisé le code Quantum ESPRESSO et la méthode des supercellules. Nous avons choisi comme référence la structure de phosphorène pur, après l'étude de cette structure nous avons étudié celle de BP@Gr, et celle de Gr@BP@Gr en ses deux configuration AA et AB. Nous avons trouvé que ces héterostructures subissent à des reconstructions (mouvent des atomes de phosphorène), avec non reconstruction des atomes de carbone pour graphène ( propriétés mécaniques extraordinaire). Nous avons remarqué que le phosphorène perd sa semicondictivité en présence de graphène et la croissance de gap entre ce de phosphorène pur et nos hétérostructures. Leurs densités des états électroniques DOS indiquent que les bords de bande de valence et bande de conduction sont dus aux orbitales p du phosphorène et les orbitales pdu graphène. Nous avons trouvé que l'héterostructure Gr@BP@Gr peut être capable de répondre aux besoins de l'industrie nanotechnologique.