Abstract:
Notre travail est organisé en trois chapitres :
Le premier chapitre est consacré à l’étude du contact métal/semi-conducteurs.
En fait, nous avons présenté les phénomènes physiques de la structure MS tels que
l’établissement de la hauteur de la barrière, la formation de la zone de charge d’espace et
les phénomènes de transport du courant.
Les principales propriétés des semi-conducteur ont été discutées dans le deuxième
chapitre en particulier la présentation des caractéristiques du GaAs et du β-Ti.
Le troisième chapitre est organisé en deux parties :
Dans la première nous présentons le logiciel de simulation Silvaco, ses modules
et outils de simulation. Nous décrivons par la suite les procédés technologiques
nécessaires à la réalisation de notre structure diode Schottky et dans le deuxième nous
présenterons nos résultats obtenus avec interprétation et comparaison avec d’autres
résultats expérimentaux.
