Abstract:
Le laser à cavité verticale émettant par surface présente un intérêt primordial dans le
domaine des télécommunications optiques, cela en termes de conception et de fabrication.
L'objectif principal de notre travail consistait à modéliser et concevoir un VCSEL émettant
à 1.55?m.
Après avoir détaillé les avantages principaux d'un VCSEL en comparaison avec le laser
émettant par tranche et souligné les propriétés et les caractéristiques de notre diode, on a
développé un programme qui nous a permis de performer ce dispositif.
Grace au logiciel Atlas-Silvaco, on a modifié le nombre de puits quantiques et la fraction
molaire du matériau utilisé. Les résultats obtenus sont très encourageants puisqu'on a réussi à
amplifier la puissance optique tout en diminuant le courant de seuil qui a atteint 0.2 mA et en
gardant la longueur d'onde à 1.55 ?m.
Le travail réalisé est une initiation pour la recherche, ce qui donne la possibilité d'exploiter
d'autres méthodes, comme l'utilisation d'autres matériaux dans les puits quantiques dont leurs
propriétés optiques sont différentes ; ou bien utiliser des techniques de confinement comme
l'oxydation ou l'implantation des protons.
