Abstract:
L'électronique et plus particulièrement l'optoélectronique est présente dans de multiples
domaines et prend une place de plus en plus importante surtout dans les systèmes de télécommunications
par fibres optiques et de conversion d'énergie. Le développement rapide de l'optoélectronique n'aurait
pas eu lieu sans une excellente connaissance des matériaux utilisés. L'étude des matériaux semi-
conducteurs occupe donc une place particulière depuis quelques années et représente toujours l'étape
essentielle dans la conception de n'importe quel dispositif optoélectronique.
Le but du présent travail est de contribuer à l'étude des propriétés structurales, électroniques et optiques
des matériaux GaAs, GaN, InAs et InN par le biais de la méthode d'ondes planes augmentée linéarisée
(FP-LAPW) implémentée dans le code de calcul WIEN2K basée sur la théorie de la fonctionnelle de la
densité (DFT).
L’étude de ces propriétés montre que les matériaux GaAs, GaN, InAs et InN sont distingués par leurs
gap direct, par conséquent ces types de semi-conducteurs interviennent dans presque tous les dispositifs
électroniques et optiques.
