Modélisation petit-signal du transistor HEMT à base de GaN utilisé dans les systèmes de télécommunications.

Abstract

Le développement des systèmes de télécommunications motive la mise au point des systèmes de transmissions qui permettent des débits plus élevées sur des grandes distance. De ce fait les transistors utilisés dans ces systèmes doivent fonctionner à des fréquences et des puissances plus élevées. Le transistor HEMT (High Electron Mobility Transistor) en nitrure de gallium (GaN) permet d’obtenir des puissances élevées (obtenues grâce aux grandes densités de courant et aux tensions de polarisation élevées), et des fréquences de travail importantes. Nous avons présenté une étude détaillée sur le fonctionnement du transistor HEMT en GaN, et nous nous sommes focalisées sur la modélisation petit-signal de ces transistors afin de choisir le circuit équivalent en suivant une méthodologie précise et extraire tous ses paramètres intrinsèques et extrinsèques, L’extraction a été effectué à différents points de polarisation à partir des données expérimentales (paramètres [S]), disponibles au niveau du centre de développement des technologies avancées CDTA.