Abstract:
Le travail présenté dans ce manuscrit est consacré à l’étude des propriétés optiques,
électriques et structurales des couches mince d’oxyde d’étain non dopé et dopé à 5%
d’Aluminium et à 5% de fluor, élaboré par un protocole expérimental basé sur la
méthode sol-gel et la techniques dip-coating. L’influence de la température et du
dopage (AL et F)sur les différentes propriétés (structurales, optiques et électriques) de
ces couches a été étudiée et discutée après les caractéristiques du (DRX), UV-Visible
et la spectroscopie de photoluminescence (PL). La DRX, montre que la cristallisation
des films minces se fait à 500 °C et les couches sont cristallisées dans une phase
tétragonale suivant les plans (110).L’analyse par le spectrophotomètre V-Visible
présente une transmission élevée et un gap réduit pour les films de SnO2 pur par
rapport aux films dopés. D’après les résultats de la photoluminescence (PL) l’intensité
d’émission est due à une bonne recombinaison électron-trou radiative pour les
couches dopées avec l’Aluminium et le fluor.
The work presented in this manuscript is devoted to the study of the optical, electrical
and structural properties of undoped and doped tin oxidethin films with 5% aluminum
and 5% fluorine, elaborated by sol-gel dip-coating method. The influence of the heat
treatment temperature and the dopants (AL and F), on the formed phase and the
different properties of these layers has been studied and discussed. These
characteristics are studied after X-ray diffraction (XRD), UV-Visible analysis and
photoluminescence spectroscopy (PL). The results of X-ray diffraction analys is
showed that the crystallization of thin films is at 500°C And indicated that the layers
crystallized in a tetragonal phase along the (110) planes. The analys is by UV-Visible
spectrophotometer shows a high transmission for pure SnO2 films compared to doped
films and a reduced gap to that of undoped layers. according to the results of
photoluminescence (PL), the emission in tensityis due to a good electron-hole
radiative recombination for the layers doped with Aluminum and fluorine.
