Etude par simulation numérique des propriétés électroniques du graphène et du silicène

Abstract

Ce travail comporte trois chapitres. Le premier chapitre traite de quelques généralités sur le graphène, sa découverte, sa structure cristalline, ses propriétés ainsi que les potentialités d’applications. Dans le deuxième chapitre nous avons rappelé les principes de ces deux méthodes (DFT et FP-LAPW). Nous y avons présenté la méthode de calcul. Elle est basée sur des théories dites ab-initio, ainsi nommées car elles partent des premiers principes et n’intègrent aucun paramètre. Plus précisément, nous avons employé la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT) pour calculer les structures électronique et nous avons utilisé la méthode des ondes planes augmentées linéarisées (FP-LAPW). Cette méthode est implémentée dans le code Elk qu’on va utiliser pour le calcul. Dans le chapitre trois nous avons calculé les propriétés électroniques des deux systèmes (graphène et silicène), puis nous avons comparé et discuté les résultats obtenus.