Abstract:
Notre travail est organisé en trois chapitres :
Le premier chapitre est consacré à l’étude des principales propriétés des semi-conducteurs en particulier à la présentation des caractéristiques du GaAs.
Le deuxième chapitre une large étude a été faite sur le contact métal/semi-conducteurs.
En fait, nous avons présenté les phénomènes physiques de la structure MS tels que l’établissement de la hauteur de la barrière, la formation de la zone de charge d’espace et les phénomènes de transport du courant.
Le troisième chapitre est organisé en deux parties :
Dans la première nous présentons le logiciel de simulation Silvaco, ses modules et outils de simulation. Nous décrivons par la suite les procédés technologiques nécessaires à la réalisation de notre structure diode Schottky et dans le deuxième nous présenterons nos résultats obtenus avec interprétation et comparaison avec d’autres résultats expérimentaux.
