Abstract:
Le développement des systèmes de télécommunications motive la mise au point des
systèmes de transmissions qui permettent des débits plus élevées sur des grandes distance. De
ce fait les transistors utilisés dans ces systèmes doivent fonctionner à des fréquences et des
puissances plus élevées. Le transistor HEMT (High Electron Mobility Transistor) en nitrure
de gallium (GaN) permet d’obtenir des puissances élevées (obtenues grâce aux grandes
densités de courant et aux tensions de polarisation élevées), et des fréquences de travail
importantes.
Nous avons présenté une étude détaillée sur le fonctionnement du transistor HEMT en
GaN, et nous nous sommes focalisées sur la modélisation petit-signal de ces transistors afin de
choisir le circuit équivalent en suivant une méthodologie précise et extraire tous ses
paramètres intrinsèques et extrinsèques, L’extraction a été effectué à différents points de
polarisation à partir des données expérimentales (paramètres [S]), disponibles au niveau du centre de
développement des technologies avancées CDTA.
