Abstract:
Inventés dans les années 1960, les lasers à semi-conducteurs ont aujourd’hui atteint un niveau de
maturité technologique garantissant leur omniprésence dans de nombreux secteurs
d’applications.
L’objectif de ce travail est l’étude des diodes lasers à semi-conducteurs, plus particulièrement les
diodes lasers à émission de surface à cavité verticale VCSEL. Après avoir présenté la structure
du VCSEL, nous nous sommes intéressés à la modélisation et à la simulation de cette dernière
sous stress thermique.
La stratégie utilisée pour l’optimisation consiste en premier lieu à utiliser un algorithme en
changeant à chaque fois la température en utilisant la même fraction molaire pour l’alliage
InGaAsP.
A travers les résultats qu’on a obtenus, on a pu comparer les différents effets de la température
sur les différents paramètres tel que le gain, le potentiel…etc.
