Abstract:
Notre travail consiste à faire l’étude des caractéristiques courant-tension (I-V) en polarisation directe de la structure MS (Au/n-GaAs) avec et sans couche d’isolant TiO2. L’extraction des principaux paramètres électriques tels que le facteur d'idéalité n, la hauteur de barrière ΦB et la Résistance série Rs a été faite en utilisant plusieurs méthodes de modélisation. Les valeurs obtenues de ces derniers à température ambiante sont respectivement 1.658, 0.609 eV et 1.294 Ω pour la structure MS (Au /n-GaAs) et 1.618, 0.603 eV, 1.189 Ω pour la structure MIS (Au / TiO2 / n-GaAs). Les diodes manifestent un comportement (I-V) non idéal avec un facteur d'idéalité supérieur à l'unité. Ce comportement est attribué à la couche isolante inter-faciale et aux états d'interface. Nos résultats de modélisation convergent fort bien avec l’expérience.
