Extraction DC des Paramètres Extrinsèques des Transistors MOS Avancés

Abstract

Le transistor à effet de champs est parmi les meilleures inventions de notre ère grâce aux fonctionnalités qu'il peut accomplir et qu'il a donné naissance à d'autres inventions plus avancées. Pour développer cette invention, une modélisation et une conception est nécessaire. Notre travail est une proposition d'une nouvelle approche pour modéliser les transistors MOS SOI avancés avec l'extraction des différents paramètres d'un schéma électrique équivalent en se basant sur des méthodes d'extraction statiques (DC) et ses valeurs nous ont permit aussi de calculer des fréquences de transition et de déterminer le facteur des performances RF (FoM) qu'est un facteur essentiel pour le développement de la technologie MOSFET. Notre travail a été effectué en collaboration avec l'équipe ARFIC de CDTA.