Abstract:
L’Alliage De Nitrure De Gallium Et D' Indium (Ingan) Est Devenu Au Cours Des
Dernieres Annees Un Semi-Conducteur Important Pour La Fabrication Des Cellules
Solaires.
Notre Etude S' Est Basee Sur La Simulation De Deux Cellules Solaires A Base Des Nitrures
Des Elements III-N, Inxga1-Xn (N)/Inn (P) Et Gan(N)/ Inxga1-Xn (P).
L'objectif De Cette Etude Est D'analyser Et D'optimiser Les Proprietes De L'alliage De
Nitrure De Gallium Et D'indium (Ingan) Pour Son Utilisation Dans La Fabrication De
Cellules Solaires A Haut Rendement.
Dans Notre Cas Les Resultats Montrent Que La Meilleure Fraction Molaire De In Pour Le
Cas De La Cellule Inxga1xn (N)/Inn (P) Est De X=0,8 Et De X=0,66 Pour Le Cas De La
Cellule Gan(N)/ Inxga1-Xn (P) Ce Qui Correspond A Un Rendement N = 35, 48 % Et N =37, 43 % RESPECTIVEMEN
