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Étude et simulation numérique d’une cellule solaire à base des semi-conducteurs Ⅲ-N
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| dc.contributor.author | Lazari, Rima | |
| dc.contributor.author | Salhi, Assia | |
| dc.contributor.author | Idjdarene, ; promottrice | |
| dc.contributor.author | Lahreche, ; co-promoteur | |
| dc.date.accessioned | 2024-12-11T10:18:04Z | |
| dc.date.available | 2024-12-11T10:18:04Z | |
| dc.date.issued | 2024 | |
| dc.identifier.uri | http://univ-bejaia.dz/dspace/123456789/24991 | |
| dc.description | Spécialité: Instrumentation | en_US |
| dc.description.abstract | L’Alliage De Nitrure De Gallium Et D' Indium (Ingan) Est Devenu Au Cours Des Dernieres Annees Un Semi-Conducteur Important Pour La Fabrication Des Cellules Solaires. Notre Etude S' Est Basee Sur La Simulation De Deux Cellules Solaires A Base Des Nitrures Des Elements III-N, Inxga1-Xn (N)/Inn (P) Et Gan(N)/ Inxga1-Xn (P). L'objectif De Cette Etude Est D'analyser Et D'optimiser Les Proprietes De L'alliage De Nitrure De Gallium Et D'indium (Ingan) Pour Son Utilisation Dans La Fabrication De Cellules Solaires A Haut Rendement. Dans Notre Cas Les Resultats Montrent Que La Meilleure Fraction Molaire De In Pour Le Cas De La Cellule Inxga1xn (N)/Inn (P) Est De X=0,8 Et De X=0,66 Pour Le Cas De La Cellule Gan(N)/ Inxga1-Xn (P) Ce Qui Correspond A Un Rendement N = 35, 48 % Et N =37, 43 % RESPECTIVEMEN | en_US |
| dc.language.iso | fr | en_US |
| dc.publisher | Université Abderrahmane mira-Béjaia | en_US |
| dc.subject | Simulation numérique : Cellule solaire : Semi-conducteur III-N : Cellules photovoltaique | en_US |
| dc.title | Étude et simulation numérique d’une cellule solaire à base des semi-conducteurs Ⅲ-N | en_US |
| dc.type | Thesis | en_US |
