Contribution à l'étude des propriétés semiconductrices de monoxyde de plomb (PbO) en vue de la suppression de diminution précoce de la capacité de l'accumulateur au plomb.

Abstract

La couche de PbO a été formée sur les alliages de Pb-x%Sn (x = 0,0, 2,1, 2,5) dans une cellule à trois électrodes, dont le potentiel imposé est de 0,7 V par rapport à l'électrode de référence Hg/Hg2SO4/K2SO4 saturé à une température de 25°C, alors que la durée de la formation est limitée à 2 heures. Nous avons employé différentes méthodes physicochimiques pour ces caractérisations telles que la voltamétrie cyclique (CV) et linéaire (LSV), l'oxydation potentiostatique, Mott-Schottky (MS), la méthode à courant alternatif (ACV), et l'impédancemétrie (EIS). Les caractérisations structurales et morphologiques ont été effectuées par microscopie optique et électronique à balayage (MEB-EDX) et diffraction des rayons X (DRX). Les résultats obtenus confirment l'effet bénéfique de l'addition de l'étain dans l'alliage de Pb, expliqué par la formation d'oxydes conducteurs dans la couche de corrosion entre le collecteur et la masse active. Un mécanisme d'action de l'étain sur la diminution de PbO dans la couche de corrosion est proposé, justifiant ainsi la suppression de la chute précoce de la capacité de la plaque positive de l'accumulateur au plomb. Une teneur maximale de 1% Sn est recommandée.